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缺貨交應 利基型DRAM可望一路漲

〔記者洪友芳／新竹報導〕利基型DRAM受到產能排擠效應影響，量缺價也漲，業者預估第二季漲價幅度絕對超過10%，並且超越標準型DRAM暫時緩漲走勢，可望一路漲到年底；NAND快閃記憶體則相對價格走勢疲軟，但在晶圓廠產能滿載排擠效應下，預期下月將嚴重缺貨。

鈺創董事長盧超群昨指出，利基型DRAM周期約比標準型DRAM晚3到6個月，標準型記憶體從去年第四季漲到4月，預估第二季到第三季將會呈現緩漲的休息狀態，第四季才會再明顯上漲。

盧超群認為，由於標準型記憶體價格好轉，吸引業者紛紛再投入生產，利基型DRAM受到產能排擠效應影響，供應減少，但硬碟、光碟機、通信及TV等應用對利基型DRAM需求都增加，帶動供給缺貨，他估計目前供需缺口約5%到10%，價格可望一路漲到年底，今年對利基型DRAM是非常正面的一年。

NAND快閃記憶體則相對疲軟，NAND快閃記憶體控制IC廠群聯（8299）昨舉行法說會，受到價跌影響，群聯第一季毛利率僅10.06%，比上季的15.55%為低，單季稅後盈餘4.19億元，季減42%，每股盈餘2.85元。群聯預估第二季NAND快閃記憶體價格仍持續下滑，第三季在傳統旺季帶動下，將會明顯上升。